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一、课程详情本次4 层 PADS DSP 芯片主控设计课程是一个难度适中的基于 DSP 芯片为主芯片的 4 层高速 PCB 设计项目，项目中涉及了 DSP、FPGA 芯片，使用了 SDRAM、FLASH、SRAM 等高速存储器模块。
MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息存在的问题。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ（磁性隧道结），由两层不同厚度的铁磁层及一层
随着时代发展，数据处理量日益增长，越来越多的电子工程师急需好用的存储器来提供存储空间，这也促使存储器逐渐成为电子设备必备的核心部分，今天我们来盘点那些常见的存储器。1、SRAM即静态随机存储器，存取速度快，但容量小，一旦掉电后数据将丢失，不
计算机系统的存储部分是很神奇的存在，因其电子系统的性质及功能用途可采用不同的存储器，很多人或许会听说过RAM、ROM、SRAM、DRAM等，但也有很多人分不清它们的区别，所以本文将一一回答这些存储器。ROM： Read-only memor
摘要：原本项目上使用了STM32F103RCT6这一款单片机，奈何ST的芯片疯涨所以换了国产灵动微电子的MM32F3277G7P，随笔分享一下使用该芯片的一些注意事项。一、资源对比STM32F103RCT6拥有的资源包括：48KB SRAM
概述RL78/G23低功耗MCU可在44μA/Mhz CPU运行频率下工作，功耗低，停止4KB SRAM保持时为210nA。该MCU设有snooze模式排序器，可显著降低间歇工作时的功耗。RL78/G23组具有1.6V至5.5V宽工作电压范
一、介绍STM32F031C4T6/STM32F031C6T6微控制器集成了高性能ARM Cortex-M0 32位RISC内核（最高工作频率为48MHz）、高速嵌入式存储器（高达16/32KB闪存和4KB SRAM）以及广泛的增强型外设和
一、简介RX66N微控制器 (MCU) 是性能稳定的单芯片MCU解决方案，具有大内存容量，适合用于工业设备。这些MCU具有32位RXv3 CPU内核、1MB SRAM、高达4MB闪存， 在120MHz工作频率范围内具有698 CoreMar
简介PIC32MZ EF系列是一款高性能MCU，运行频率高达252 MHz，具有高达2 MB闪存和512 KB SRAM，面向工业、汽车、物联网、图形（HMI）和电机控制细分市场的连接应用。PIC32MZ EF系列具有一流的外设设置，包括I
MSPM0G3106SRHBR —— 具有 64KB 闪存、32KB SRAM、2 个 12 位 4Msps ADC、运算放大器、CAN-FD 的 80MHz Arm®M0+ MCUMSPM0G310x 微控制器 (MCU) 属于 MSP
